Infineon英飛凌模塊選型參考

日期：2023-12-05 08:30

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摘要： Infineon英飛凌模塊型號解讀 FZ：一單元模塊 FF：兩單元模塊(半橋模塊) FP：七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF：斬波模塊 F4：四單元模塊 FS：六單元模塊 DD：二極管模塊 400：Tc=80°C時的額定電流 R：逆導型 S：快速二極管 12：額定電壓×100 KF：高頻型(主要在大模塊上使用) KL：低飽和壓降(主要在大模塊上使用) KS：短拖尾高頻型 KE：低飽和壓...

Infineon英飛凌模塊型號解讀

FZ：一單元模塊

FF：兩單元模塊(半橋模塊)

FP：七單元模塊(功率集成模塊)

FD/DF：斬波模塊

F4：四單元模塊

FS：六單元模塊

DD：二極管模塊

400：Tc=80°C時的額定電流

R：逆導型

S：快速二極管

12：額定電壓×100

KF：高頻型(主要在大模塊上使用)

KL：低飽和壓降(主要在大模塊上使用)

KS：短拖尾高頻型

KE：低飽和壓降

KT：低飽和壓降高頻型

Infineon英飛凌IGBT模塊的開關頻率

DN2系列：頻率范圍10KHZ-20KHZ，飽和壓降：2.5V-3.1V
DN2系列：頻率范圍4KHZ-8KHZ，飽和壓降：2.1V-2.4V
KS4系列：頻率范圍15KHZ-30KHZ，飽和壓降：3.2V-3.85V
KE3系列：頻率范圍4KHZ-10KHZ，飽和壓降：1.7V-2.0V
KT3系列：頻率范圍8KHZ-15KHZ，飽和壓降：1.7V-1.9V

英飛凌IGBT模塊

600V

半橋(2單元)

三相橋(6單元)

三電平模塊

H橋(4單元)

整流橋+三相橋(PIM)

斬波模塊

1200V

單管(1單元)

三相橋(6單元)

三電平模塊

半橋(2單元)

十二單元(12單元)

斬波模塊

H橋(4單元)

整流橋+三相橋(PIM)

1600-1700V

單管(1單元)

三相橋(6單元)

二極管模塊

半橋(2單元)

斬波模塊

3300V

單管(1單元)

斬波模塊

半橋(2單元)

二極管模塊

4500V

單管(1單元)

6500V

單管(1單元)

斬波模塊

二極管模塊

Infineon英飛凌IGBT單管(分立元件)

600V

Fast

IGBT

TrenchStop

HighSpeed

650V

TrenchStop 5

1200V

Fast

IGBT

TrenchStop

RC-Drives

RC-Drives

Infineon英飛凌二極管(分立元件)

快恢復

600V

1200V

碳化硅

600V

650V

Infineon英飛凌MOS管

OptiMOS

60V

75V

80V

100V

120V

150V

200V

250V

CoolMOS

500V

600V

650V

800V

900V

Infineon英飛凌汽車電子元件

汽車專用MOS

30V

40V

55V

60V

75V

100V

汽車專用IGBT

HybridPACK

Infineon英飛凌單片機(MCU)

8位

XC83x

XC866

XC886

XC878

XC888

16位

XC164CS

XC167CI

XE160xU

XE162xL

XE162xN

XE164xN

XE167xM

XE167xH

XE167xM

32位

XMC4500

Infineon英飛凌驅動IC及驅動板

200V

200V

600V

600V

1200V

1200V

Infineon英飛凌晶閘管&二極管(圓餅)

整流(D)

800V

1800V

3000V

5000V

10000V

快速整流(D)

1400V

2600V

6000V

焊接(D)

焊接二極管

IGCT(D)

IGCT?二極管

GTO續流(D)

GTO續流二極管

單項(T)

600V

1800V

3300V

500V

5500V

10000V

光控(T)

光控晶閘管

Infineon英飛凌晶閘管&二極管(模塊)

晶閘管(模塊)

相控晶閘管模塊

相控單個晶閘管模塊

二極管(模塊)

快速二極管模塊

整流二極管模塊

晶閘管+二極管(模塊)

相控二極管晶閘管模塊

相控晶閘管二極管模塊

Infineon英飛凌整流橋

800V

交流開關

1600V

不控整流橋

半控整流橋

全控橋

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